闪存
基本定义 NOR / NAND 写/擦除 eMMC / UFS Links 本来看华为新弄了 FS 和编译器，想学习下。但是目前似乎放出来的技术资料并不多，就先做下技术储备。先研究下他们做这个优化的历史背景。一路看下来发现链路太长，EXT4、更早的文件系统、最后到了闪存。 大学课堂上学过，但到现在真要考我，估计也说不出个所以然，所以先记录下闪存相关的笔记。 基本定义 ROM 的一种，虽然看着是read only，但是闪存属于的细分类别已经可以允许重写数据(EEPROM)。比较接近的两种细分类别对比来看： EPROM: 需要用紫外线照射才能重写数据(注定要被淘汰的技术) EEPROM: 多的一个E便是Electrically，可以用电擦除数据 自然 EEPROM 的应用更加广泛。目前手机上的存储主要就是闪存（EEPROM)。闪存用于手机等移动设备的一些原因如下: 动态抗震性好(没有机械部件) 极端环境下也比较可靠(手机三防) 在擦除数据时比一般的 EEPROM 效率更高(区块对字节) NOR / NAND 两种 flash 的类型，直接上一个比较简单的表格对比： NOR NAND 抹写速度 慢 快 抹写次数 低 高 (10x) 存取方式 随机 区块 成本 高 低 面积 大 小 适用场景 微处理器 普通存储 实际使用 BIOS/机顶盒 U 盘/SSD 写/擦除 这也是一个容易忽略但是细究起来很容易让人迷惑的东西。为什么闪存有擦除的概念? 简单来讲，由于闪存特殊的物理构造，可以理解为写操作只能写入0,擦除操作相当于写入1。手机闪存和固态硬盘为什么擦除多了会损坏？这篇文章提供了具体的电路图示意： ...